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足月新生儿听觉脑干电反应的特性

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机构: [1]北京市耳鼻咽喉科研究所 [2]北京市耳鼻咽喉科研究所 [3]北京市耳鼻咽喉科研究所 [4]北京市耳鼻咽喉科研究所 [5]北京市复兴医院妇产科 [6]北京市复兴医院妇产科 [7]北京市儿童医院 [8]北京市儿童医院
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摘要:
本文工作根据北京市儿童医院临床的需要,在临床实验条件下对足月新生儿的ABR进行了测量,以期分析足月新生儿ABR的电反应特征。 新生儿听觉脑干反应(ABR)的波形是Ⅰ、Ⅲ、Ⅴ波为主的连续波复合体;新生儿在声强80dB(HL)刺激频率20次/秒的短声刺激条件下,I、Ⅲ、Ⅴ波潜伏期大体为2.50,5.00和7.00ms;新生儿ABR潜伏期—刺激强度函数的斜率是30—60μsec/dB(声刺激强度从80到50dB(HL),声刺激频率20次/秒);新生儿ABR Ⅴ波对Ⅰ波的比率大于1.0(短声强度80dB(HL),刺激频率20次/秒);在80dB(HL)短声条件下,改变声刺激频率(从20次/秒增止100次/秒),Ⅴ波潜伏期约延长0.6—1.0ms;新生儿ABR阈值在30—60dB(HL)的范围。综上所述新生儿ABR电反应特性,可以为其听力和脑干功能的临床诊断提供可靠的指标和依据。

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